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英诺赛科ISG6106QA:全球领先700V全集成智能GaN芯片

2025-07-15 17:54      网络   沙金网站科技    浏览次数:(

ISG6106QA SolidGaN™ 功率芯片。这款革命性产品将 700V增强型(E-Mode) GaN FET智能门极驱动器高压线性稳压器无损电流检测四大核心功能集成于单芯片,彻底消除了传统GaN方案的多颗外围芯片需求。凭借其 9-80V宽压供电115μA超低静态功耗200V/ns超高抗扰2MHz极速开关能力,ISG6106QA为PD快充、服务器电源、太阳能微逆等高密度能源转换应用树立了性能与集成度的全新标杆。

核心突破:四合一高集成,解锁GaN终极潜能

ISG6106QA通过颠覆性集成解决GaN应用核心痛点:

  1. 全集成SolidGaN™引擎:

    • 700V/100mΩ E-Mode GaN FET: 提供卓越的开关性能与导通特性。

    • 智能可编程门极驱动: 两级开通控制(可调第一级斜率 + 延迟第二级增强),实现高频、高效、低EMI的黄金三角。

    • 高压线性稳压器(80V输入): 输出精准稳定的6.5V栅压,彻底省去外部LDO

    • 集成无损电流检测: 精准消除外部检流电阻,显著提升系统效率。

  2. 极简设计,性能跃升:

    • 宽压供电(9V-80V): 适应复杂供电环境,简化电源架构。

    • 无损电流检测: 省电阻、提效率、降成本三位一体。

    • 115μA超低静态电流 + 自动待机: 轻松满足全球最严苛能效标准(如CoC, DoE, ErP)。

    • 5V LDO输出: 直接为数字隔离器供电,进一步简化系统。

  3. 极致性能,稳定可靠:

    • 超快开关速度: 传播延迟低至25ns,支持2MHz高频运行,助力超小磁性元件设计。

    • 200V/ns超高dv/dt抗扰: 卓越的抗干扰能力,保障系统在恶劣环境下稳定工作。

    • 零反向恢复电荷(Qrr=0): 彻底消除二极管反向恢复损耗,提升效率与可靠性。

    • 全面保护机制: 集成输入欠压(UVLO)、过流(OCP)、过温(OTP)保护,构建安全防线。

关键规格与优势

特性类别ISG6106QA 核心优势用户价值
核心集成▶ 内置700V/100mΩ GaN + 智能驱动 + 80V稳压器 + 无损检流BOM极简,系统成本骤降,设计周期缩短
供电与能效▶ 9-80V宽压输入 (省LDO)
▶ 无损电流检测 (省检流电阻)
▶ 115μA静态电流 + 自动待机
适应性强,效率显著提升,待机功耗行业领先
开关性能▶ 可编程开通斜率
▶ 2MHz工作频率
▶ 25ns传播延迟
▶ 200V/ns dv/dt抗扰
高频高效设计,极致功率密度,超强系统稳定性
独特功能▶ 集成5V LDO (供数字隔离器)
▶ 零反向恢复电荷 (Qrr=0)
简化外围设计,消除恢复损耗,提升效率与可靠性
保护机制▶ 内置UVLO, OCP, OTP系统安全无忧,减少外围保护电路
封装▶ OFN 6x8mm, 0.85mm超薄超高功率密度设计,兼容紧凑空间

目标应用场景

ISG6106QA的全集成与高性能特性,使其成为以下高要求应用的理想核心动力:

  1. 超高效PD快充适配器: 实现极致小巧体积与超高效率(尤其20W+ PD3.1快充)。

  2. 高端服务器/通信电源: 满足CRPS, ORV3等标准的高密度、高效AC-DC或DC-DC模块。

  3. 太阳能微逆变器/优化器: 提升能源转换效率,缩小体积,降低系统成本。

  4. 工业AC-DC/DC-DC电源: 适用于PLC、工控设备等高可靠性场景。

  5. 高端LED驱动电源: 满足高效率、长寿命、无频闪需求。

  6. 先进拓扑电源:

    • 功率因数校正 (PFC)

    • 准谐振反激 (QR Flyback)

    • 有源钳位反激 (ACF)

    • 半桥/全桥LLC谐振变换器

为什么选择英诺赛科ISG6106QA?

  • 颠覆性集成: 单芯片集成GaN+驱动+稳压+无损检流,革命性减少外围元件数量与系统成本

  • 性能王者: 200V/ns抗扰能力2MHz开关频率25ns延迟零Qrr,定义GaN性能新高度。

  • 设计自由: 9-80V宽压供电省去LDO,集成5V LDO支持数字隔离,可编程斜率优化EMI/效率。

  • 极简BOM: 无损检流省去昂贵电阻,超高集成度大幅降低布局复杂度。

  • 能效标杆: 115μA超低静态电流自动待机模式,轻松征服全球能效法规。

  • 可靠保障: 内置多重保护+GaN天然高可靠性,确保系统长效稳定运行。

  • 封装优势: 紧凑型OFN封装助力超高功率密度设计。

结语

英诺赛科ISG6106QA SolidGaN™芯片的发布,标志着功率半导体集成化与智能化迈入全新纪元。它不仅仅是一颗GaN器件,更是一个高度优化的“功率系统级芯片”(Power SoC)。通过将关键功能模块完美融合,ISG6106QA解决了高密度电源设计的核心挑战——在追求极致效率、功率密度和可靠性的同时,大幅降低系统复杂度和成本。它为工程师提供了征服下一代高效能源转换应用的终极武器,是您在高性能电源市场中赢得竞争优势的不二之选。

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英诺赛科ISG6106QA:全球领先700V全集成智能GaN芯片

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